林智，副教授，博士，博士生导师，IEEE Member

Email：linzhi@cqu.edu.cn

通信地址：重庆市沙坪坝区大学城南路55号信息楼A504，401331

学术主页：https://www.researchgate.net/profile/Zhi-Lin-7

专业领域：功率半导体器件，功率集成芯片

个人简介

ž 2009年本科毕业于电子科技大学。

ž 2015年12月获得电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，师从“中国功率器件领路人”陈星弼院士。

ž 2016年2月加入金沙贵宾0029线路检测集电系。

先后承担国家自然科学基金项目、省部级和横向科研项目10余项，在IEEE Transaction on Electron Device和IEEE Electron Device Letters等学术期刊上发表40余篇研究论文，授权中国发明专利4项、美国发明专利1项。

招生信息

课题组近期研究方向：低阻高压SiC MOSFET开发及可靠性研究，SiC高温集成芯片研究，SiC MOSFET驱动芯片设计；超结MOSFET新结构及可靠性研究。课题组每年固定流片2-3次，为学生提供良好的锻炼机会。

招生方向

学术博士：信息与通信工程（081000）

学术硕士：信息与通信工程（081000）

专业硕士：电子信息（085400）

热烈欢迎电子、电气和物理等相关专业学生加入课题组！

主持科研项目

[1]  国家自然科学基金面上项目（No. 62074020，在研）

[2]  重庆市自然科学基金面上项目（No. CSTB2022NSCQ-MSX1532，在研）

[3]  企业横向项目（No. H20240140，在研）

[4]  企业横向项目（No. H20220125，在研）

代表性论文

[1] W. Zeng, P. Li, Z. Lin, D. Wang, J. Guo, J. Jiang and S. Hu, "Study on the C_OSS Dynamic Loss of Superjunction MOSFETs in Quasi-Resonant Flyback Converters", IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(8): 4303-4308.

[2] P. Li, J. Guo, S. Hu and Z. Lin, "A SiC Planar MOSFET with an Embedded MOS Channel Diode to Improve Reverse Conduction and Switching", Micromachines, 2023, 14(7): 1282.

[3] Z. Lin, W. Zeng and Z. Wang, "Hybrid Junction Termination Consisting of a Variation Lateral Doping Structure and a Spiral Polysilicon Resistive Field Plate", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022, 10: 313-317.

[4] Z. Wang, Z. Lin, W. Zeng, S. Hu and J. Zhou, "Comparison of Short-Circuit Safe Operating Areas Between the Conventional Field-Stop IGBT and the Superjunction Field-Stop IGBT", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022(10): 146-151.

[5] Z. Lin, W. Zeng, P. Li, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Electrothermal Analysis of the Charge-Discharge Related Energy Loss of the Output Capacitance in OFF-State Superjunction MOSFETs", IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(9): 4582-4586.

[6] Z. Xu and Z. Lin, "Low-power current reference with temperature compensation by subthreshold leakage current", Microelectronics Journal, 2021(109): 104936.

[7] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts," IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(4): 1693-1698.

[8] Z. Lin, J. Guo, Z. Wang, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(1): 115-118.

[9] Z. Lin, "Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(8): 1297-1300.

[10] Z. Lin, Q. Yuan, S. Hu, X. Zhou, J. Zhou and F. Tang, "A Simulation Study of a Novel Superjunction MOSFET Embedded With an Ultrasoft Reverse-Recovery Body Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(5): 2333-2338.

发明专利

[1] Z. Lin, Q. Yuan, S. Han, S. Hu, J. Zhou, F. Tang, X. Zhou, HIGH-SPEED SUPERJUNCTION LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 专利号：US16/264654.

[2] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET，专利号：ZL201810137190.X.

[3] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET, 专利号：ZL201810072735.3.

[4] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，专利号：ZL201810137194.8.

[5] 林智，王志皓，韩姝，李平，胡盛东，单片集成式半桥功率器件模块，申请号：CN201911168608.4.