集电系

林智

林智,副教授,博士,IEEE Member

Emaillinzhi@cqu.edu.cn

通信地址:重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学A区主教1003400044

学术主页:https://www.researchgate.net/profile/Zhi-Lin-7


个人简介

ž 2009年本科毕业于电子科技大学。

ž 201512月获得电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位,师从“中国功率器件领路人”陈星弼院士。

ž 20162月加入金沙贵宾0029线路检测。


从事微电子功率器件与功率微电子电路的研究和开发工作10余年,在超结 MOSFETSGT MOSFETIGBTLDMOSGaN HEMTSiC MOSFETSiC SBD/MPS,高低压集成BCD工艺,AC-DCDC-DC控制IC和高压驱动IC等方面经验丰富。先后承担国家自然科学基金项目、省部级和横向科研项目10余项,在IEEE Transaction on Electron DeviceIEEE Electron Device LettersElectron Letters等学术期刊上发表多篇研究论文,授权中国发明专利3项、美国发明专利1项。


研究领域

1)新型半导体功率器件芯片设计及其应用

2)电源管理电路芯片设计与功率电子系统


研究生招生方向

学术硕士:信息与通信工程(081000

专业硕士:电子信息(085400


热烈欢迎电子、电气、物理和材料等相关专业学生加入课题组!


主持科研项目

[1]  国家自然科学基金面上项目(No. 62074020,在研)

[2]  企业横向项目(No. H20220125,在研)

[3]  企业横向项目(No. 1042012920180257,在研)

[4]  国家自然科学基金青年科学基金项目(No. 61604024,结题)

[5]  重庆市科技计划项目基础科学与前沿技术研究专项(一般项目)(No. cstc2018jcyjAX0706,结题)

[6]  中央高校基本科研业务费专项项目(No. 106112016CDJXY160003,结题)


代表性论文

[1] Z. Wang, Z. Lin, W. Zeng, S. Hu and J. Zhou, "Comparison of Short-Circuit Safe Operating Areas Between the Conventional Field-Stop IGBT and the Superjunction Field-Stop IGBT", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022(10): 146-151.

[2] Z. Lin, W. Zeng, P. Li, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Electrothermal Analysis of the Charge-Discharge Related Energy Loss of the Output Capacitance in OFF-State Superjunction MOSFETs", IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(9): 4582-4586.

[3] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Novel Approach to Inactivate the Body p-i-n Diode of SiC MOSFET by Using the Normally-OFF JFET," IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(4): 1784-1790.

[4] P. Li, J. Guo, Z. Lin and S. Hu, "A Power MOSFET With P-Base Schottky Diode and Built-In Channel Diode for Fast Reverse Recovery," IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2021(9): 300-305.

[5] Z. Xu and Z. Lin, "Low-power current reference with temperature compensation by subthreshold leakage current", Microelectronics Journal, 2021(109): 104936.

[6] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts," IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(4): 1693-1698.

[7] Z. Lin, J. Guo, Z. Wang, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(1): 115-118.

[8] P. Li, J. Guo, S. Hu. Z. Lin and F. Tang, "A Low Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With an Integrated Tunneling Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(10): 4309-4313.

[9] Z. Lin, "Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(8): 1297-1300.

[10] Z. Lin, Q. Yuan, S. Hu, X. Zhou, J. Zhou and F. Tang, "A Simulation Study of a Novel Superjunction MOSFET Embedded With an Ultrasoft Reverse-Recovery Body Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(5): 2333-2338.

[11] Z. Lin, S. Hu, Q. Yuan, X. Zhou and F. Tang, "Low-Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With a p-type Schottky Body Diode", IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(8): 1059-1062.

[12] Z. Lin and X. Chen, "A New Solution for Superjunction Lateral Double Diffused MOSFET by Using Deep Drain Diffusion and Field Plates", IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(6): 558-590.

[13] Z. Lin, H. Huang, and X. Chen, "An Improved Superjunction Structure With Variation Vertical Doping Profile", IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62(1): 228-231.

发明专利

[1] Z. Lin, Q. Yuan, S. Han, S. Hu, J. Zhou, F. Tang, X. Zhou, HIGH-SPEED SUPERJUNCTION LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 专利号:US16/264654.

[2] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET,专利号:ZL201810137190.X.

[3] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET, 专利号:ZL201810072735.3.

[4] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管,专利号:ZL201810137194.8.

[5] 林智,王志皓,韩姝,李平,胡盛东,单片集成式半桥功率器件模块,申请号:CN201911168608.4.


教改项目

[1]  重庆大学教学改革研究项目(No. 2021Y29,主持,在研)

[2]  重庆大学教学改革研究项目(No. 2020Y27,参与,在研)

[3]  重庆大学教学改革研究项目(No. 2017S06,参与,结题)

[4]  重庆市研究生教学改革研究项目(No. yjg203003,参与,在研)

[5]  教育部产学合作协同育人项目(No. 202102147002,参与,在研)

[6]  教育部产学合作协同育人项目(No. 202101279016,参与,在研)

[7]  教育部产学合作协同育人项目(No. 201902024012,参与,结题)


教学科研奖励

[1]  重庆大学教学成果二等奖,2021

[2]  重庆大学第七届青年教师教学基本功比赛三等奖,2019


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